再生障礙性貧血大致分為兩種形成方式：一種是先天性的，多于家族貧血患病史有關(guān)，另一種是后天養(yǎng)成的，被稱之為繼發(fā)性再生障礙性貧血，大多數(shù)的再生障礙性貧血患者都是屬于這一類。繼發(fā)性再生障礙性貧血病因通常比較容易查明，主要有以下幾個(gè)因素：

藥物因素

①劑量過大或長期使用肯定引起再障的藥物有：

化學(xué)毒物：如苯及衍生物甲苯等；

抗腫瘤藥物，如米法蘭、長春新堿、環(huán)磷酰胺、6-巰基嘌呤、馬利蘭、氨甲喋呤等；

其他毒性藥物，如無機(jī)砷等。

②偶可引起再障的藥物：

降血糖藥：甲苯磺丁脲、氯磺丙脲；

精神安定藥：冬眠靈、利眠寧；

抗驚厥藥：美散痛、苯妥英鈉、三甲雙酮、撲癇酮；

抗生素：如氯霉素、磺胺、有機(jī)砷類、合霉素、青霉素類、四環(huán)素、兩性霉素B、卡那霉素、土霉素、鏈霉素、磺胺異口惡唑；

殺蟲藥：DDT等；

抗瘧藥：阿的平、氯喹；

利尿劑：醋氮酰胺。

經(jīng)過專家鑒定，很多速效的感冒藥與再生障礙性貧血有一定的關(guān)系。發(fā)現(xiàn)眾多的臨床患者患病之前都有服用速效感冒膠囊的歷史。速效感冒膠囊的其中一種成分是撲熱息痛，很有可能是致病的根本原因。

電離輻射

電離輻射如X線、放射性同位素等可以直接進(jìn)入人體細(xì)胞，破壞DNA和蛋白質(zhì)，從而導(dǎo)致細(xì)胞破壞，骨髓細(xì)胞對(duì)電離輻射特別敏感，其中紅系細(xì)胞最敏感，粒系細(xì)胞次之，再次為巨核細(xì)胞系，對(duì)淋巴細(xì)胞也有溶解作用。電離輻射是再障病因之一，早已為廣大學(xué)者所認(rèn)識(shí)。

繼發(fā)性再生障礙性貧血是后天養(yǎng)成的，也就是說與患者自身有莫大的關(guān)系。所以在再生障礙性貧血的預(yù)防首先要做到的是遠(yuǎn)離以上幾種可以治病的因素，尤其是已經(jīng)患有再障的朋友更要避免接觸這些危險(xiǎn)因素。